1、顯(xian)卡芯片:顯(xian)卡核(he)心型(xing)號差(cha)一(yi)(yi)檔,性(xing)能(neng)也(ye)就(jiu)差(cha)了一(yi)(yi)檔,所以(yi)可根據核(he)心型(xing)號來判斷顯(xian)卡的(de)高低,例如,N卡型(xing)號的(de)前綴一(yi)(yi)共有GTX > GTS > GT > GF,其后的(de)兩位數或一(yi)(yi)位數代(dai)表(biao)代(dai)數,再其后兩位數越(yue)大,表(biao)示(shi)同代(dai)中的(de)性(xing)能(neng)就(jiu)越(yue)強,后綴有Ti、SE、M、MX,分別表(biao)示(shi)加強版(ban)、閹割版(ban)、移動版(ban)、移動加強版(ban)。
2、流(liu)處(chu)理(li)(li)(li)(li)(li)器:流(liu)處(chu)理(li)(li)(li)(li)(li)器是顯卡(ka)(ka)的(de)核心,直接影響(xiang)處(chu)理(li)(li)(li)(li)(li)能力,對于N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)來(lai)說(shuo),流(liu)處(chu)理(li)(li)(li)(li)(li)單元(yuan)個數越多則處(chu)理(li)(li)(li)(li)(li)能力越強。N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)的(de)流(liu)處(chu)理(li)(li)(li)(li)(li)單元(yuan)可采取近似比較(jiao),N卡(ka)(ka)的(de)1個流(liu)處(chu)理(li)(li)(li)(li)(li)單元(yuan)相(xiang)當于AMD的(de)5個流(liu)處(chu)理(li)(li)(li)(li)(li)單元(yuan)。
3、顯存位寬(kuan):顯存位寬(kuan)表示一個時鐘周期內所(suo)能傳送數據的(de)(de)位數,位數越大則傳輸量越大,常見(jian)的(de)(de)有64位、128位和256位顯卡。在顯存頻率相當情況下(xia),顯存位寬(kuan)決定著帶寬(kuan)的(de)(de)大小。
4、顯存類(lei)型:顯存類(lei)型主(zhu)要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種(zhong),SDRAM顆粒(li)主(zhu)要應用在低端顯卡上(shang),頻(pin)率一般不超過200MHz;DDR SDRAM是主(zhu)流;DDR SGRAM適(shi)合繪圖專用。
5、散熱設計:散熱系統(tong)的好壞直(zhi)接決(jue)定了(le)性能發揮(hui)的穩定性,被動式噪音低,適(shi)合低頻率顯(xian)卡;主動式有散熱片和(he)風扇,適(shi)合高頻率顯(xian)卡;導流式適(shi)合高檔游戲顯(xian)卡。