1、顯(xian)卡(ka)芯片:顯(xian)卡(ka)核(he)心(xin)型(xing)(xing)號差(cha)一(yi)(yi)檔,性(xing)能也就(jiu)差(cha)了一(yi)(yi)檔,所以可根據核(he)心(xin)型(xing)(xing)號來判斷顯(xian)卡(ka)的(de)高低,例(li)如(ru),N卡(ka)型(xing)(xing)號的(de)前綴一(yi)(yi)共有(you)(you)GTX > GTS > GT > GF,其后的(de)兩(liang)位(wei)數(shu)(shu)或一(yi)(yi)位(wei)數(shu)(shu)代表代數(shu)(shu),再其后兩(liang)位(wei)數(shu)(shu)越大,表示同代中的(de)性(xing)能就(jiu)越強,后綴有(you)(you)Ti、SE、M、MX,分別表示加強版(ban)、閹割版(ban)、移動(dong)(dong)版(ban)、移動(dong)(dong)加強版(ban)。
2、流(liu)處(chu)(chu)理(li)器(qi)(qi):流(liu)處(chu)(chu)理(li)器(qi)(qi)是顯卡(ka)的核心(xin),直接影響(xiang)處(chu)(chu)理(li)能力(li),對于N卡(ka)和A卡(ka)來說,流(liu)處(chu)(chu)理(li)單元個數越多則處(chu)(chu)理(li)能力(li)越強(qiang)。N卡(ka)和A卡(ka)的流(liu)處(chu)(chu)理(li)單元可(ke)采取近似比較,N卡(ka)的1個流(liu)處(chu)(chu)理(li)單元相當于AMD的5個流(liu)處(chu)(chu)理(li)單元。
3、顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan):顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)表示一(yi)個時鐘周期(qi)內(nei)所能傳(chuan)送(song)數據的位(wei)(wei)數,位(wei)(wei)數越大則傳(chuan)輸量越大,常見(jian)的有64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和256位(wei)(wei)顯(xian)卡(ka)。在顯(xian)存(cun)頻率相當情況下,顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)決定著帶(dai)寬(kuan)的大小。
4、顯(xian)存(cun)類型:顯(xian)存(cun)類型主要(yao)有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆(ke)粒主要(yao)應用在低(di)端(duan)顯(xian)卡上(shang),頻率一般不超過200MHz;DDR SDRAM是(shi)主流;DDR SGRAM適合(he)繪圖專用。
5、散(san)(san)熱設計:散(san)(san)熱系統的好壞直接(jie)決定(ding)了性(xing)能發揮的穩定(ding)性(xing),被動式噪(zao)音(yin)低,適合低頻(pin)率(lv)顯(xian)卡(ka);主動式有(you)散(san)(san)熱片和風扇(shan),適合高頻(pin)率(lv)顯(xian)卡(ka);導(dao)流式適合高檔游(you)戲顯(xian)卡(ka)。