一、氮化鎵是什么

氮(dan)化鎵（GaN）是氮(dan)和鎵化合物，具有半導體特(te)性(xing)，早期應用于(yu)發光二極(ji)管(guan)中，它與常用的硅屬(shu)于(yu)同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wen)定性(xing)強。氮(dan)化鎵材料(liao)是研制微電子(zi)器(qi)(qi)件的重要半導體材料(liao)，具有寬帶(dai)隙、高熱導率(lv)(lv)等特(te)點，應用在充電器(qi)(qi)方面，主(zhu)要是集成氮(dan)化鎵MOS管(guan)，可適配小型變(bian)壓器(qi)(qi)和高功率(lv)(lv)器(qi)(qi)件，充電效率(lv)(lv)高。

二、氮化鎵充電器優點

簡單來說，氮化鎵(jia)(jia)號稱第三代半(ban)導體核心材料(liao)。相(xiang)對硅而言(yan)，氮化鎵(jia)(jia)擁(yong)(yong)有更(geng)寬的(de)帶隙，寬帶隙也意味(wei)著，氮化鎵(jia)(jia)能比硅承受更(geng)高的(de)電(dian)壓，擁(yong)(yong)有更(geng)好的(de)導電(dian)能力(li)。簡而言(yan)之(zhi)兩(liang)種材料(liao)在(zai)相(xiang)同體積(ji)下(xia)，氮化鎵(jia)(jia)比硅的(de)效率高出不少。如(ru)果氮化鎵(jia)(jia)替換現(xian)在(zai)所有電(dian)子設備，可(ke)能會讓電(dian)子產(chan)品的(de)用電(dian)量再(zai)減少10%或者25%。

在許多電(dian)源管理(li)產品中，氮化(hua)(hua)鎵是更強的存在。應(ying)用層面(mian)，采用氮化(hua)(hua)鎵做充電(dian)器的話能夠(gou)實現(xian)更快(kuai)充電(dian)更小體積。

打個比方(fang)說，采用氮化鎵(jia)材料(liao)做出(chu)來的(de)(de)充電頭(tou)，體(ti)積和蘋果(guo)5W差(cha)不多(duo)大(da)的(de)(de)情況下(xia)，能(neng)實(shi)現(xian)更多(duo)的(de)(de)功率。蘋果(guo)的(de)(de)5W充電頭(tou)實(shi)現(xian)的(de)(de)充電效率相信大(da)家都懂(dong)的(de)(de)，未來新的(de)(de)材料(liao)大(da)規模應有(you)后就有(you)望改變這種情況。

氮化鎵（GaN）等新(xin)技術有望大(da)幅改(gai)進電源管理、發(fa)電和功率輸出(chu)的諸(zhu)多方(fang)面。

對于用(yong)戶，最直接的好(hao)處就是能帶來更快的充(chong)電(dian)，但是體積卻不會因此(ci)(ci)而增大(da)。因為(wei)GaN氮(dan)化鎵材料(liao)本身的特質，因此(ci)(ci)充(chong)電(dian)器(qi)如果采用(yong)了GaN氮(dan)化鎵做材料(liao)，那(nei)么不僅可以(yi)實現體積小、重量(liang)輕；對于發熱(re)量(liang)與效率(lv)轉化也有非常明(ming)顯的提(ti)高。很多產品一旦發熱(re)效率(lv)就會明(ming)顯的下降，比如CPU、充(chong)電(dian)頭等。

三、氮化鎵充電器的缺點

氮化鎵(jia)充(chong)(chong)電(dian)器主要(yao)缺點是(shi)成(cheng)(cheng)本高。氮化鎵(jia)作為(wei)新(xin)型第三代化合物，合成(cheng)(cheng)環境要(yao)求很(hen)高，從制(zhi)造(zao)工(gong)藝上講(jiang)，氮化鎵(jia)沒有液態，不能使用單晶(jing)硅的傳統直拉(la)法拉(la)出單晶(jing)，純靠(kao)氣體反應(ying)合成(cheng)(cheng)，在氨氣流中超過1000度(du)加熱金屬鎵(jia)半小時(shi)才能形成(cheng)(cheng)粉末狀(zhuang)氮化鎵(jia)，所以氮化鎵(jia)充(chong)(chong)電(dian)器的成(cheng)(cheng)本更高，對應(ying)市面(mian)上的氮化鎵(jia)充(chong)(chong)電(dian)器售價(jia)也比(bi)傳統充(chong)(chong)電(dian)器高出一大截(jie)。

隨著氮化鎵技術的普及應用，氮化鎵充電器成本(ben)可能會逐步(bu)降下來，之后的價格應(ying)該能回(hui)歸到百元內。