芒果视频下载

網站(zhan)分類
登錄 |    

氮化鎵充電器優點 氮化鎵充電器的缺點

本文章由注冊用戶 天空之城 上傳提供 評論 0
摘要:最近幾年各大廠商都開始推出氮化鎵充電器,氮化鎵充電器具有熱導率高,耐高溫,高強度和高硬度等等一系列的特性。相比于傳統充電器,氮化鎵充電器能夠在更小的體積下做到更高的快充功率。但是氮化鎵充電器目前也有不足,比如造價并不便宜,產能有限,如果沒有辦法工業化加大產能降價成本,短期內想要取代硅并不容易。

一、氮化鎵是什么

氮(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)(GaN)是(shi)(shi)氮(dan)和鎵(jia)化(hua)(hua)合物(wu),具(ju)有半導體特性(xing),早期應(ying)用于發(fa)光(guang)二極管中,它(ta)與常用的硅屬于同一元素周(zhou)期族,硬度(du)高(gao)(gao)(gao)(gao)熔點高(gao)(gao)(gao)(gao)穩定性(xing)強。氮(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)材料(liao)(liao)是(shi)(shi)研制微(wei)電子器(qi)件的重要半導體材料(liao)(liao),具(ju)有寬帶(dai)隙、高(gao)(gao)(gao)(gao)熱導率等(deng)特點,應(ying)用在充電器(qi)方面(mian),主要是(shi)(shi)集成氮(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)MOS管,可適配小型變壓器(qi)和高(gao)(gao)(gao)(gao)功(gong)率器(qi)件,充電效率高(gao)(gao)(gao)(gao)。

二、氮化鎵充電器優點

簡單來說,氮化(hua)鎵號稱第三代(dai)半導(dao)(dao)體核心材(cai)料。相對硅而(er)言,氮化(hua)鎵擁有更(geng)寬的帶隙,寬帶隙也意味著,氮化(hua)鎵能比(bi)硅承受更(geng)高(gao)的電(dian)(dian)壓,擁有更(geng)好的導(dao)(dao)電(dian)(dian)能力。簡而(er)言之兩種材(cai)料在相同體積下,氮化(hua)鎵比(bi)硅的效率高(gao)出不少。如(ru)果氮化(hua)鎵替換現在所有電(dian)(dian)子設備,可能會讓電(dian)(dian)子產品的用電(dian)(dian)量再減(jian)少10%或者25%。

在許多電源管理產品中,氮(dan)化鎵是(shi)更強的(de)存在。應用層面(mian),采用氮(dan)化鎵做(zuo)充電器的(de)話(hua)能夠實(shi)現更快(kuai)充電更小體積。

打個比(bi)方說,采用氮(dan)化鎵材料做出來的(de)(de)充(chong)電頭(tou),體(ti)積(ji)和(he)蘋果(guo)5W差不多大的(de)(de)情況(kuang)下,能(neng)實(shi)現(xian)(xian)更多的(de)(de)功(gong)率(lv)。蘋果(guo)的(de)(de)5W充(chong)電頭(tou)實(shi)現(xian)(xian)的(de)(de)充(chong)電效(xiao)率(lv)相信大家都(dou)懂的(de)(de),未(wei)來新的(de)(de)材料大規模應(ying)有后就有望改變這種情況(kuang)。

氮化鎵(GaN)等新技(ji)術有望大幅改進電(dian)源管理、發電(dian)和(he)功(gong)率輸出的諸多方(fang)面。

對于用戶,最直接的(de)好處就是能帶來更快的(de)充(chong)電,但是體積卻不會(hui)因此而增大。因為GaN氮(dan)化(hua)鎵(jia)材(cai)料(liao)本身的(de)特質,因此充(chong)電器如(ru)果采用了GaN氮(dan)化(hua)鎵(jia)做材(cai)料(liao),那么不僅可以實現(xian)體積小、重量(liang)輕;對于發熱量(liang)與效率轉化(hua)也有非常明(ming)(ming)顯的(de)提高。很多(duo)產品一旦發熱效率就會(hui)明(ming)(ming)顯的(de)下(xia)降,比(bi)如(ru)CPU、充(chong)電頭(tou)等。

三、氮化鎵充電器的缺點

氮化(hua)鎵(jia)(jia)(jia)充(chong)(chong)電(dian)器(qi)主要(yao)(yao)缺點是成(cheng)本高。氮化(hua)鎵(jia)(jia)(jia)作為新型第三代化(hua)合(he)物,合(he)成(cheng)環境要(yao)(yao)求很(hen)高,從制造工(gong)藝上講,氮化(hua)鎵(jia)(jia)(jia)沒有(you)液態,不能使用單晶硅的(de)(de)傳(chuan)統(tong)直(zhi)拉法拉出(chu)單晶,純靠氣體反應合(he)成(cheng),在氨(an)氣流中超過1000度加熱金屬鎵(jia)(jia)(jia)半小時才能形成(cheng)粉末狀氮化(hua)鎵(jia)(jia)(jia),所以氮化(hua)鎵(jia)(jia)(jia)充(chong)(chong)電(dian)器(qi)的(de)(de)成(cheng)本更(geng)高,對(dui)應市面上的(de)(de)氮化(hua)鎵(jia)(jia)(jia)充(chong)(chong)電(dian)器(qi)售價(jia)也比傳(chuan)統(tong)充(chong)(chong)電(dian)器(qi)高出(chu)一大截。

隨著氮化鎵技術的普及應用,氮化鎵充電器成本可能會逐步降下來,之后(hou)的價格(ge)應該能回(hui)歸到百元內。

網站提醒和聲明
本站(zhan)為注冊用戶提供(gong)信息(xi)(xi)(xi)存儲空間服務,非“MAIGOO編輯(ji)上(shang)傳(chuan)提供(gong)”的文章/文字均是(shi)注冊用戶自主發布(bu)上(shang)傳(chuan),不(bu)代(dai)表本站(zhan)觀點,版(ban)權歸原作者所有(you),如(ru)有(you)侵(qin)權、虛假信息(xi)(xi)(xi)、錯誤信息(xi)(xi)(xi)或(huo)(huo)任何問題,請及時(shi)聯系我們,我們將在第一時(shi)間刪除或(huo)(huo)更正。 申請刪除>> 糾錯>> 投訴侵權>> 網頁上相關信息(xi)的知識產權(quan)歸網站方所有(you)(包括但不(bu)限于文字、圖片、圖表、著作(zuo)權(quan)、商標(biao)權(quan)、為用戶(hu)提供的商業信息(xi)等),非經許可不(bu)得抄襲或使用。
提交說明: 快速提交發布>> 查看提交幫助>> 注冊登錄>>
發表評論
您還未登錄,依《網絡安全法》相關要求,請您登錄賬戶后再提交發布信息。點擊登錄>>如您還未注冊,可,感謝您的理解及支持!
最新評論
暫無評論
天空之城
注冊用戶-時尚界的美少女的個人賬號
關注
頁面相關分類
裝修居住/場景空間
生活知識百科分類
地區城市
更多熱門城市 省份地區
人群
季節
TOP熱門知識榜
知識體系榜