一、硅片清洗的目標是什么
半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件生產中(zhong)硅片(pian)須(xu)經嚴格清(qing)洗。微量(liang)污(wu)染也會(hui)導(dao)致器(qi)件失效。那么(me)硅片(pian)清(qing)洗的目標(biao)是什(shen)么(me)呢？
硅片清洗的(de)目的(de)在于(yu)清除表面(mian)污染雜質(zhi)，包括有(you)(you)(you)機物和無機物。這(zhe)些雜質(zhi)有(you)(you)(you)的(de)以原(yuan)子(zi)狀(zhuang)態(tai)或離子(zi)狀(zhuang)態(tai)，有(you)(you)(you)的(de)以薄膜形式或顆粒形式存在于(yu)硅(gui)片表面(mian)。會導致(zhi)各種(zhong)缺陷。
二、硅片清洗的方法有哪些
硅片清(qing)除污染的(de)方法有物理清(qing)洗和化學清(qing)洗兩種。
1、化(hua)學清洗(xi)(xi)(xi)是為了除(chu)去(qu)原子(zi)、離(li)子(zi)不可(ke)見的(de)(de)(de)污(wu)染，方(fang)法(fa)(fa)較多，有溶劑(ji)萃取(qu)、酸(suan)(suan)洗(xi)(xi)(xi)（硫酸(suan)(suan)、硝酸(suan)(suan)、王水(shui)、各種混合(he)酸(suan)(suan)等）和等離(li)子(zi)體法(fa)(fa)等。其中雙(shuang)氧水(shui)體系(xi)清洗(xi)(xi)(xi)方(fang)法(fa)(fa)效果(guo)好，環(huan)境(jing)污(wu)染小。一般方(fang)法(fa)(fa)是將硅片(pian)先用成(cheng)分(fen)比(bi)為H2SO4:H2O2=5:1或(huo)4:1的(de)(de)(de)酸(suan)(suan)性(xing)(xing)液清洗(xi)(xi)(xi)。清洗(xi)(xi)(xi)液的(de)(de)(de)強氧化(hua)性(xing)(xing)，將有機物(wu)分(fen)解(jie)而除(chu)去(qu)；用超純水(shui)沖洗(xi)(xi)(xi)后(hou)，再用成(cheng)分(fen)比(bi)為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或(huo)5:1:1或(huo)7:2:1的(de)(de)(de)堿性(xing)(xing)清洗(xi)(xi)(xi)液清洗(xi)(xi)(xi)，由于(yu)H2O2的(de)(de)(de)氧化(hua)作用和NH4OH的(de)(de)(de)絡(luo)合(he)作用，許(xu)多金屬離(li)子(zi)形成(cheng)穩(wen)定的(de)(de)(de)可(ke)溶性(xing)(xing)絡(luo)合(he)物(wu)而溶于(yu)水(shui)；然后(hou)使用成(cheng)分(fen)比(bi)為H2O:H2O2:HCL=7:2:1或(huo)5:2:1的(de)(de)(de)酸(suan)(suan)性(xing)(xing)清洗(xi)(xi)(xi)液，由于(yu)H2O2的(de)(de)(de)氧化(hua)作用和鹽(yan)酸(suan)(suan)的(de)(de)(de)溶解(jie)，以及氯離(li)子(zi)的(de)(de)(de)絡(luo)合(he)性(xing)(xing)，許(xu)多金屬生成(cheng)溶于(yu)水(shui)的(de)(de)(de)絡(luo)離(li)子(zi)，從(cong)而達到(dao)清洗(xi)(xi)(xi)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)。
放射示蹤原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)分(fen)析和(he)(he)質譜分(fen)析表(biao)明(ming)，采用(yong)雙氧水體(ti)系(xi)清(qing)(qing)洗(xi)(xi)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)效果最(zui)好，同時所(suo)用(yong)的全(quan)部化學(xue)試劑H2O2、NH4OH、HCl能夠完全(quan)揮發掉。用(yong)H2SO4和(he)(he)H2O2清(qing)(qing)洗(xi)(xi)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)時，在(zai)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)表(biao)面會(hui)留下約2×1010原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)每平(ping)方厘米的硫原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)，用(yong)后一(yi)種酸(suan)性清(qing)(qing)洗(xi)(xi)液時可(ke)以完全(quan)被清(qing)(qing)除。用(yong)H2O2體(ti)系(xi)清(qing)(qing)洗(xi)(xi)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)無殘留物(wu)，有害性小(xiao)，也有利于工(gong)人健(jian)康和(he)(he)環境保護。硅(gui)(gui)(gui)片(pian)清(qing)(qing)洗(xi)(xi)中用(yong)各(ge)步清(qing)(qing)洗(xi)(xi)液處理后，都要(yao)用(yong)超純水徹(che)底沖(chong)洗(xi)(xi)。
2、物理(li)清洗有三種(zhong)方法。
（1）刷洗或擦(ca)洗：可(ke)除去顆粒污染和大多(duo)數粘在片子(zi)上的薄膜。
（2）高壓(ya)(ya)清洗：是用(yong)(yong)液體(ti)噴射(she)片(pian)子表面(mian)，噴嘴的壓(ya)(ya)力(li)高達幾百(bai)個大(da)氣(qi)壓(ya)(ya)。高壓(ya)(ya)清洗靠噴射(she)作(zuo)用(yong)(yong)，片(pian)子不易(yi)產生(sheng)劃痕和損傷。但高壓(ya)(ya)噴射(she)會產生(sheng)靜(jing)電作(zuo)用(yong)(yong)，靠調(diao)節噴嘴到(dao)片(pian)子的距離、角度或(huo)加(jia)入防靜(jing)電劑加(jia)以避(bi)免。
（3）超(chao)聲(sheng)波清洗：超(chao)聲(sheng)波聲(sheng)能傳入溶液，靠氣蝕作(zuo)用洗掉片子上的污染。但是(shi)，從有圖形(xing)的片子上除去小(xiao)于(yu)1微米顆(ke)粒則比(bi)較困難。將頻率提高到超(chao)高頻頻段(duan)，清洗效果(guo)更好。
