一、靶材的分類有哪些

1、根據不同材質劃分

（1）金屬靶材

鎳(nie)靶(ba)(ba)Ni、鈦靶(ba)(ba)Ti、鋅靶(ba)(ba)Zn、鉻靶(ba)(ba)Cr、鎂靶(ba)(ba)Mg、鈮靶(ba)(ba)Nb、錫靶(ba)(ba)Sn、鋁靶(ba)(ba)Al、銦靶(ba)(ba)In、鐵靶(ba)(ba)Fe、鋯鋁靶(ba)(ba)ZrAl、鈦鋁靶(ba)(ba)TiAl、鋯靶(ba)(ba)Zr、鋁硅靶(ba)(ba)AlSi、硅靶(ba)(ba)Si、銅靶(ba)(ba)Cu、鉭靶(ba)(ba)Ta、鍺靶(ba)(ba)Ge、銀靶(ba)(ba)Ag、鈷(gu)靶(ba)(ba)Co、金靶(ba)(ba)Au、釓靶(ba)(ba)Gd、鑭靶(ba)(ba)La、釔靶(ba)(ba)Y、鈰(shi)靶(ba)(ba)Ce、不銹鋼靶(ba)(ba)、鎳(nie)鉻靶(ba)(ba)NiCr、鉿靶(ba)(ba)Hf、鉬靶(ba)(ba)Mo、鐵鎳(nie)靶(ba)(ba)FeNi、鎢靶(ba)(ba)、W等。

（2）陶瓷靶材

ITO靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鐵靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、碳化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉻靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硫化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、一氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈰(shi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、五氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、二(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，、二(er)氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉿(jia)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)硼化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)硼化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯(gao)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎢靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，三氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)五氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)鉭(tan)，五氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)二(er)鈮(ni)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟(fu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氟(fu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)釔靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、硒化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硼靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，碳化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，鈮(ni)酸鋰靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)酸鐠靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)酸鋇靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、鈦(tai)酸鑭(lan)靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、氧(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎳靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)、濺射靶(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)材(cai)等。

（3）合金靶材

鐵(tie)鈷靶(ba)(ba)(ba)FeCo、鋁硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)AlSi、鈦(tai)(tai)(tai)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)TiSi、鉻(ge)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)CrSi、鋅(xin)鋁靶(ba)(ba)(ba)ZnAl、鈦(tai)(tai)(tai)鋅(xin)靶(ba)(ba)(ba)材TiZn、鈦(tai)(tai)(tai)鋁靶(ba)(ba)(ba)TiAl、鈦(tai)(tai)(tai)鋯靶(ba)(ba)(ba)TiZr、鈦(tai)(tai)(tai)硅(gui)(gui)靶(ba)(ba)(ba)TiSi、鈦(tai)(tai)(tai)鎳靶(ba)(ba)(ba)TiNi、鎳鉻(ge)靶(ba)(ba)(ba)NiCr、鎳鋁靶(ba)(ba)(ba)NiAl、鎳釩靶(ba)(ba)(ba)NiV、鎳鐵(tie)靶(ba)(ba)(ba)NiFe等。

2、根據不同應用方向劃分

（1）半導體關聯靶材

電極、布線(xian)薄膜：鋁靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)，銅靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)，金靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)，銀(yin)靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)，鈀靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)，鉑靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)，鋁硅合(he)金靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)，鋁硅銅合(he)金靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)(cai)等。

儲存器電極薄膜：鉬靶材(cai)，鎢靶材(cai)，鈦靶材(cai)等。

粘附(fu)薄膜：鎢靶材(cai)，鈦靶材(cai)等。

電容器(qi)絕(jue)緣膜(mo)薄膜(mo)：鋯(gao)鈦酸鉛靶材(cai)等。

（2）磁記錄靶材

垂直磁記(ji)錄薄(bo)膜：鈷鉻合金靶(ba)材等。

硬盤用薄膜：鈷(gu)鉻鉭合(he)金靶材，鈷(gu)鉻鉑(bo)合(he)金靶材，鈷(gu)鉻鉭鉑(bo)合(he)金靶材等(deng)。

薄(bo)膜(mo)磁頭：鈷鉭(tan)鉻合(he)金靶材(cai)，鈷鉻鋯(gao)合(he)金靶材(cai)等。

人工晶體薄(bo)膜(mo)：鈷(gu)鉑合金(jin)(jin)靶材，鈷(gu)鈀合金(jin)(jin)靶材等。

（3）光記錄靶材

相變光盤(pan)記錄薄膜：硒(xi)化碲(di)靶(ba)材，硒(xi)化銻(ti)靶(ba)材，鍺銻(ti)碲(di)合金(jin)靶(ba)材，鍺碲(di)合金(jin)靶(ba)材等。

磁光盤記錄薄膜：鏑(di)鐵鈷合(he)金靶(ba)(ba)材(cai)(cai)，鋱(te)鏑(di)鐵合(he)金靶(ba)(ba)材(cai)(cai)，鋱(te)鐵鈷合(he)金靶(ba)(ba)材(cai)(cai)，氧化(hua)鋁靶(ba)(ba)材(cai)(cai)，氧化(hua)鎂靶(ba)(ba)材(cai)(cai)，氮化(hua)硅(gui)靶(ba)(ba)材(cai)(cai)等。

該圖片由注冊用戶"天空之城"提供，版權聲明反饋

二、靶材的性能和指標

靶(ba)(ba)材(cai)制約著濺鍍薄(bo)膜的(de)物(wu)理，力(li)學性能，影響鍍膜質量，因(yin)而要(yao)求靶(ba)(ba)材(cai)的(de)制備應滿足以下要(yao)求：

1、純(chun)(chun)度(du)(du)：要(yao)求雜質含量低(di)純(chun)(chun)度(du)(du)高，靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)的(de)(de)(de)純(chun)(chun)度(du)(du)影(ying)響薄膜(mo)的(de)(de)(de)均勻性(xing)，以純(chun)(chun)Al靶(ba)(ba)為例(li)，純(chun)(chun)度(du)(du)越高，濺射Al膜(mo)的(de)(de)(de)耐(nai)蝕性(xing)及電學、光(guang)學性(xing)能越好。不過不同用途的(de)(de)(de)靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)對純(chun)(chun)度(du)(du)要(yao)求也不同，一(yi)般(ban)工業用靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)純(chun)(chun)度(du)(du)要(yao)求不高，但就(jiu)半導(dao)體、顯示器(qi)件等領(ling)域用靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)對純(chun)(chun)度(du)(du)要(yao)求是十(shi)分嚴格的(de)(de)(de)，磁性(xing)薄膜(mo)用靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)對純(chun)(chun)度(du)(du)的(de)(de)(de)要(yao)求一(yi)般(ban)為99.9%以上(shang)，ITO中的(de)(de)(de)氧化銦(yin)以及氧化錫的(de)(de)(de)純(chun)(chun)度(du)(du)則要(yao)求不低(di)于(yu)99.99%。

2、雜質含(han)量(liang)：靶(ba)材(cai)(cai)作(zuo)為濺射中(zhong)(zhong)的(de)陰極源(yuan)，固體中(zhong)(zhong)的(de)雜質和氣孔中(zhong)(zhong)的(de)O2和H2O是沉積薄膜(mo)的(de)主(zhu)要污(wu)染源(yuan)，不同用途的(de)靶(ba)材(cai)(cai)對單個雜質含(han)量(liang)的(de)要求(qiu)(qiu)也不同，如：半導體電(dian)極布線用的(de)W，Mo，Ti等靶(ba)材(cai)(cai)對U，Th等放射性元素的(de)含(han)量(liang)要求(qiu)(qiu)低(di)于3*10-9，光盤(pan)反(fan)射膜(mo)用的(de)Al合金靶(ba)材(cai)(cai)則要求(qiu)(qiu)O2的(de)含(han)量(liang)低(di)于2*10-4。

3、高(gao)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)度(du)(du)(du)：為(wei)了減少靶(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)中的(de)(de)(de)氣(qi)孔，提高(gao)薄(bo)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)一般要求靶(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)具(ju)有較(jiao)高(gao)的(de)(de)(de)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)度(du)(du)(du)，靶(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)度(du)(du)(du)不(bu)僅影響濺射時(shi)的(de)(de)(de)沉積速率(lv)(lv)(lv)、濺射膜(mo)(mo)粒子的(de)(de)(de)密(mi)度(du)(du)(du)和放電現象等(deng)，還影響濺射薄(bo)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)電學(xue)和光學(xue)性(xing)(xing)能(neng)。致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)性(xing)(xing)越好(hao)，濺射膜(mo)(mo)粒子的(de)(de)(de)密(mi)度(du)(du)(du)越低(di)，放電現象越弱。高(gao)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)度(du)(du)(du)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)具(ju)有導電、導熱(re)性(xing)(xing)好(hao)，強度(du)(du)(du)高(gao)等(deng)優點，使(shi)用這種靶(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)鍍膜(mo)(mo)，濺射功(gong)率(lv)(lv)(lv)小，成膜(mo)(mo)速率(lv)(lv)(lv)高(gao)，薄(bo)膜(mo)(mo)不(bu)易開裂，靶(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)使(shi)用壽命長，且(qie)濺鍍薄(bo)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)電阻率(lv)(lv)(lv)低(di)，透光率(lv)(lv)(lv)高(gao)。靶(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)度(du)(du)(du)主要取決于制(zhi)備工藝。一般而言，鑄造(zao)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)度(du)(du)(du)高(gao)而燒結靶(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)度(du)(du)(du)相對較(jiao)低(di)，因此提高(gao)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)致(zhi)(zhi)(zhi)密(mi)度(du)(du)(du)是燒結制(zhi)備靶(ba)(ba)(ba)材(cai)(cai)的(de)(de)(de)技術(shu)關鍵之一。

4、成分(fen)與組織結構(gou)均(jun)勻，靶(ba)材(cai)成分(fen)均(jun)勻是(shi)(shi)鍍膜質(zhi)量穩(wen)定的重要(yao)保(bao)證，尤(you)其是(shi)(shi)對于復(fu)相結構(gou)的合(he)金靶(ba)材(cai)和混合(he)靶(ba)材(cai)。如ITO，為了保(bao)證膜質(zhi)量，要(yao)求(qiu)靶(ba)中In2O3-SnO2組成均(jun)勻，都為93：7或91：9（分(fen)子(zi)比）。

5、晶粒尺寸細小，靶材的晶粒尺寸越(yue)細小，濺鍍薄膜(mo)的厚度分布越(yue)均勻，濺射速率越(yue)快。