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ITO濺射靶材的制作方法 ITO濺射靶材生產難點

本文章由注冊用戶 天空之城 上傳提供 2023-09-17 評論 0
摘要:ITO靶材是一種貴金屬材料,是在高溫氣氛燒結形成的黑灰色陶瓷半導體。ITO靶材主要有四種成型方法,分別是真空熱壓法、熱等靜壓法、常壓燒結法、冷等靜壓法。下面就來了解下ITO濺射靶材的制作方法以及ITO濺射靶材生產難點。

一、ITO濺射靶材的制作方法

1、真空熱壓

真空熱壓利用熱能和機械能對ITO粉體進行致密化,可生產出密度為91%~96%的高密度ITO陶瓷靶材。該方法可以輕松獲得接近預期密度且孔隙率接近于零的ITO靶材。但受設備和模具尺寸的限制,真空熱壓在制備大尺寸濺射靶材方面優勢較小。

2、熱等靜壓

熱等靜壓(ya)(HIP)通(tong)過在壓(ya)力下燒結或在高溫下加(jia)壓(ya)來制備ITO濺射靶。與真空熱壓(ya)類似(si),HIP在加(jia)熱和(he)加(jia)壓(ya)狀態(tai)下可以獲得高密度(幾乎是理論密度)和(he)優(you)異的物理和(he)機械(xie)性(xing)能的產(chan)品。但也受(shou)設備壓(ya)力和(he)氣缸(gang)尺寸(cun)的限制。

3、常溫燒結

室溫燒(shao)結(jie)(jie)是(shi)先通(tong)過漿料(liao)澆注或預壓制(zhi)備高密度靶材(cai)(cai)預制(zhi)件,然后在(zai)一定氣氛和溫度下(xia)燒(shao)結(jie)(jie)得(de)到(dao)ITO靶材(cai)(cai)。其最大的優(you)勢在(zai)于能夠生產大尺寸(cun)的濺(jian)射(she)靶材(cai)(cai)。但(dan)與其他(ta)燒(shao)結(jie)(jie)方(fang)(fang)法相(xiang)比,這種方(fang)(fang)法制(zhi)成的靶材(cai)(cai)純度較低。

4、冷等靜壓

冷等靜壓(CIP)在常(chang)溫下(xia)以橡膠或塑料為覆膜材料,以液體為壓力(li)介質傳(chuan)遞(di)超高壓。CIP還可(ke)以制備更大尺寸的(de)(de)ITO濺射靶材。而且(qie)價(jia)格便(bian)宜,適合大批量生(sheng)產。但CIP要求材料在0.1~0.9MPa的(de)(de)純氧環境中經(jing)過1500~1600°C的(de)(de)高溫燒結,具有(you)較高的(de)(de)風險。

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二、ITO濺射靶材生產難點

1、粉末制備

粉(fen)末冶金最核心的競爭(zheng)力就是粉(fen)體,能夠獨立(li)生產高(gao)品質穩定的粉(fen)體的公司,會在未(wei)來占(zhan)有(you)一席(xi)之地。

2、大尺寸燒結工藝

ITO靶材的(de)另一(yi)個(ge)難(nan)點就是燒(shao)(shao)結工藝,精準的(de)燒(shao)(shao)結工藝是燒(shao)(shao)結高(gao)品質(zhi)靶材(cai)的(de)關鍵。燒(shao)(shao)結工藝細分(fen)為真空熱壓(ya)法、熱等靜壓(ya)法、常壓(ya)燒(shao)(shao)結法。目前高(gao)端顯示(shi)器(qi)用鍍膜靶材(cai)主(zhu)要(yao)采用常壓(ya)燒(shao)(shao)結法,性(xing)價比(bi)高(gao)。

3、成本投入較大

ITO生產中需要(yao)使用非常多的(de)大型設(she)備,如冷壓機,大型模壓機,燒結爐,加工設(she)備及綁定設(she)備,每一項(xiang)的(de)投(tou)入都非常大。整廠的(de)設(she)備投(tou)入預計在5000萬以(yi)上(年產50噸),且因(yin)為是能耗(hao)大戶,日常的(de)能源(yuan)消耗(hao)也是非常可觀(guan)的(de),運營維護(hu)成本也比較高。

4、產品的驗證

如何能(neng)夠自主的驗(yan)證產品是否符合客(ke)戶的使用需(xu)求,是產品能(neng)否一次通過(guo)客(ke)戶驗(yan)證并且順(shun)利導入生(sheng)產的關鍵因素,所以(yi)企業(ye)自己配套綁定檢測設備及鍍膜機就是保證。

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