一、常見金屬靶材的種類

常規金屬靶材：鎂Mg、錳Mn、鐵Fe、鈷CO、鎳Ni、銅Cu、鋅Zn、鉛Pd、錫Sn、鋁AL。

小金屬(shu)靶材：銦In、鍺Ge、鎵(jia)Ga、銻Sb、鉍Bi、鎘Cd。

難熔金屬(shu)靶(ba)材(cai)：鈦Ti、鋯Zr、鉿(jia)Hf、釩(fan)V鈮Nb、鉭Ta、銘(ming)Cr、鉬Mo、鎢W、錸Re。

貴金屬靶材(cai)：金Au、銀Ag、鈀Pd、鉑Pt、銥lr、釕(liao)Ru、銠(lao)Rh、鋨Os。

半(ban)金(jin)屬靶(ba)材：碳C、硼B、碲Te、硒Se。

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二、金屬靶材是干什么的

金屬靶材應用主要包(bao)括平(ping)板顯示器、半導體、太(tai)陽能(neng)電池(chi)、記錄媒體等領域。其中平(ping)板顯示器占33.80%，半導體占11.40%，太(tai)陽能(neng)電池(chi)占18.50%，記錄媒體占28.60%。

半導體(ti)芯(xin)(xin)片用(yong)金(jin)屬濺(jian)射(she)(she)靶材的作用(yong)，就(jiu)是給芯(xin)(xin)片上制作傳(chuan)遞信息的金(jin)屬導線。具體(ti)的濺(jian)射(she)(she)過程：首先利用(yong)高速(su)離子流(liu)，在(zai)高真空條件下(xia)分(fen)別去轟擊不(bu)同種(zhong)類的金(jin)屬濺(jian)射(she)(she)靶材的表(biao)面，使(shi)各種(zhong)靶材表(biao)面的原子一(yi)層一(yi)層地(di)沉(chen)積在(zai)半導體(ti)芯(xin)(xin)片的表(biao)面上，然后再通過的特(te)殊加工(gong)工(gong)藝(yi)，將沉(chen)積在(zai)芯(xin)(xin)片表(biao)面的金(jin)屬薄膜刻蝕成納米級別的金(jin)屬線，將芯(xin)(xin)片內部數(shu)以億計的微型晶體(ti)管相互連接起(qi)來，從而(er)起(qi)到傳(chuan)遞信號的作用(yong)。

行業用(yong)的(de)金屬濺射靶(ba)材(cai)(cai)(cai)，主要種類(lei)包括(kuo)：銅、鉭、鋁、鈦(tai)(tai)、鈷(gu)和鎢等(deng)高(gao)純濺射靶(ba)材(cai)(cai)(cai)，以(yi)及鎳鉑、鎢鈦(tai)(tai)等(deng)合(he)金類(lei)的(de)金屬濺射靶(ba)材(cai)(cai)(cai)。銅靶(ba)和鉭靶(ba)通(tong)常(chang)配合(he)起(qi)來(lai)使(shi)用(yong)。目前(qian)晶圓的(de)制造正朝著更小(xiao)的(de)制程方向發展，銅導線工(gong)藝的(de)應用(yong)量在(zai)逐步增大，因此，銅和鉭靶(ba)材(cai)(cai)(cai)的(de)需求將有望持續(xu)增長(chang)。鋁靶(ba)和鈦(tai)(tai)靶(ba)通(tong)常(chang)配合(he)起(qi)來(lai)使(shi)用(yong)。目前(qian)，在(zai)汽車(che)電子芯(xin)片(pian)等(deng)需要110nm以(yi)上技術節點來(lai)保證(zheng)其穩定性(xing)和抗干擾性(xing)的(de)領(ling)域，仍需大量使(shi)用(yong)鋁、鈦(tai)(tai)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)。

應用于超大規模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽能電池制造的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等金屬靶材。