一、太陽能硅片是什么材料
太(tai)(tai)陽能(neng)電池(chi)(chi)(chi)分為單晶(jing)(jing)硅太(tai)(tai)陽能(neng)電池(chi)(chi)(chi)、多晶(jing)(jing)硅薄(bo)膜太(tai)(tai)陽能(neng)電池(chi)(chi)(chi)和非晶(jing)(jing)硅薄(bo)膜太(tai)(tai)陽能(neng)電池(chi)(chi)(chi)三種(zhong)。
1、單質硅的一種形態。熔融的單(dan)質硅在凝固時硅原(yuan)子以金剛石晶(jing)格(ge)排列成(cheng)許多(duo)晶(jing)核(he)，如(ru)果這(zhe)些晶(jing)核(he)長成(cheng)晶(jing)面(mian)取向(xiang)相(xiang)同的晶(jing)粒(li)，則這(zhe)些晶(jing)粒(li)平行結合起(qi)來便結晶(jing)成(cheng)單(dan)晶(jing)硅。
2、多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅(gui)在過冷條件下凝(ning)固(gu)時，硅(gui)原子以金剛石晶(jing)格形態排列成(cheng)(cheng)許多晶(jing)核，如這(zhe)些晶(jing)核長成(cheng)(cheng)晶(jing)面取(qu)向不同(tong)的晶(jing)粒，則這(zhe)些晶(jing)粒結合起來(lai)，就(jiu)結晶(jing)成(cheng)(cheng)多晶(jing)硅(gui)。
3、非晶硅。由非晶態合金制備，要獲得非晶態，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態快速淬火的方法目前還無法得到非晶態。近年來，發展了許多種氣相淀積非晶態硅膜的技術，其中包括真空蒸發、輝光放電、濺射及化學氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等，純度要求很高。非(fei)晶(jing)硅(gui)膜(mo)(mo)的(de)(de)結構和性質(zhi)與(yu)制(zhi)備(bei)工藝(yi)的(de)(de)關(guan)系非(fei)常密切，目(mu)前認為以輝光放電法制(zhi)備(bei)的(de)(de)非(fei)晶(jing)硅(gui)膜(mo)(mo)質(zhi)量最好，設備(bei)也并(bing)不復雜。
二、怎么挑選太陽能硅片
1、首先看外(wai)觀(guan)，必須(xu)無(wu)裂紋，無(wu)硬(ying)傷，無(wu)孔洞，無(wu)崩邊。
2、其次看物理(li)指標，物理(li)指標很多，包括(kuo)晶(jing)向，晶(jing)向偏差(cha)，類(lei)型，厚度(du)(du)(du)，邊(bian)長，垂(chui)直度(du)(du)(du)等等。用相應(ying)的(de)(de)測試(shi)儀器(qi)確定(ding)類(lei)型，晶(jing)向等；用相應(ying)測量儀器(qi)抽測5點厚度(du)(du)(du)、公(gong)差(cha)，邊(bian)長和對角線長及公(gong)差(cha)，垂(chui)直度(du)(du)(du)等，這(zhe)(zhe)里面(mian)對太陽(yang)能(neng)電(dian)池工藝來(lai)說(shuo)，最重要的(de)(de)是硅片(pian)(pian)厚度(du)(du)(du)及厚度(du)(du)(du)變(bian)化(hua)（TTV），因為很多太陽(yang)能(neng)電(dian)池生產線是有硅片(pian)(pian)厚度(du)(du)(du)要求的(de)(de)，低于起生產最低厚度(du)(du)(du)，碎片(pian)(pian)率就會提高，利潤就折騰到(dao)這(zhe)(zhe)碎片(pian)(pian)里頭了。另外(wai)碳、氧含量對硅片(pian)(pian)品質來(lai)說(shuo)非常(chang)重要，一(yi)定(ding)要進行抽測，當然，正常(chang)說(shuo)來(lai)，這(zhe)(zhe)兩個指標不會有問題，如果有問題的(de)(de)話，它(ta)們就會直接反映在后(hou)面(mian)講到(dao)的(de)(de)電(dian)學指標中(zhong)了。
3、最后看電(dian)學指標，主(zhu)(zhu)要(yao)(yao)是少子壽(shou)命和(he)電(dian)阻率(lv)，硅片的等(deng)級(ji)主(zhu)(zhu)要(yao)(yao)通過這兩個指標確(que)定。比如(ru)目(mu)前A級(ji)的單(dan)晶硅片少子壽(shou)命要(yao)(yao)求大于10μs，電(dian)阻率(lv)0-6Ω.cm。
