一、單晶硅片尺寸是多少
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成(cheng)本也(ye)就(jiu)越低。但大尺(chi)寸晶(jing)片對材料和技(ji)術(shu)的要求(qiu)也(ye)越高(gao)。
大尺寸的優勢：
1、硅片-電池片-組件(jian)端，降(jiang)低單瓦非硅(gui)成本。
2、組件-電(dian)站端(duan)，降(jiang)低BOS成(cheng)本。硅片尺(chi)寸增大(da)，增加了從硅片、電(dian)池、組件到(dao)電(dian)站等各環節的(de)產能輸(shu)出，相當于攤銷了部分人(ren)工(gong)、折舊、水電(dian)氣、施(shi)工(gong)等成(cheng)本投入(ru)。
二、單晶硅片的厚度是多少
隨著(zhu)產業鏈合作推(tui)進，薄(bo)片(pian)化(hua)進程加速。硅(gui)片(pian)厚度對電(dian)池片(pian)的自(zi)動(dong)化(hua)、良率、轉換效率等均有影響，需要與(yu)下游電(dian)池片(pian)、組件制造端需求匹配，因此薄(bo)片(pian)化(hua)更為(wei)依賴產業鏈各(ge)環(huan)節(jie)的合作推(tui)進。
2020年多晶(jing)硅(gui)片(pian)平均厚(hou)(hou)度為(wei)180μm，P型(xing)(xing)單(dan)晶(jing)硅(gui)片(pian)平均厚(hou)(hou)度在175μm左右，N型(xing)(xing)硅(gui)片(pian)平均厚(hou)(hou)度為(wei)168μm，TOPCon電(dian)池的(de)N型(xing)(xing)硅(gui)片(pian)平均厚(hou)(hou)度為(wei)175μm，異質(zhi)結(jie)電(dian)池的(de)硅(gui)片(pian)厚(hou)(hou)度約150μm。
1、P型單晶硅片：薄片(pian)(pian)化經歷了350μm、250μm、220μm、200μm、180μm等多個(ge)節點，預計2021年(nian)達到170μm，150-160μm的薄片(pian)(pian)技術目前已經趨于成熟，2025年(nian)有望達到160μm。
2、N型單晶硅片：N型(xing)硅(gui)片相比P型(xing)更容(rong)易實(shi)現(xian)減薄，預計2021年達到(dao)160-165μm，目前已經具備120-140μm的薄片技術，遠(yuan)期有望達到(dao)100-120μm。
3、異質結電池N型單晶硅片：HJT是最有利于(yu)薄片化(hua)的電池(chi)結構和工藝(yi)，在薄片化(hua)方面具備(bei)天然優(you)勢(shi)，原因(yin)是：
（1）對(dui)稱結構(gou)、低溫或無應力制程可(ke)以適(shi)應更薄的硅(gui)片(pian)。
（2）轉換效率(lv)不受厚(hou)度影響，即使減薄到100μm左(zuo)右(you)，依賴超低表(biao)面復合(he)，短路(lu)電流Isc的損失可以(yi)通過(guo)開(kai)路(lu)電壓Voc得到補(bu)償(chang)。
根(gen)據(ju)相關預測，2024、2027、2030年(nian)異質結N型硅片厚(hou)度將分(fen)別達(da)到140、130、120μm，薄(bo)片化的(de)理論極(ji)限(xian)可以(yi)達(da)到100μm以(yi)下。
