一、硅片拋光片與外延片區別是什么
根據用途分類，半導體硅片可分為拋光片、退火片、外延片、結隔離片和以SOI硅片為代表的高端硅片。那么硅片拋光(guang)片與(yu)外(wai)延(yan)片區別是(shi)什么呢？
拋(pao)光(guang)片(pian)可以(yi)用于制作存儲芯片(pian)，功率器(qi)件，以(yi)及外延(yan)片(pian)的(de)襯底材料。外延(yan)片(pian)，是在拋(pao)光(guang)片(pian)的(de)基礎上生長了一(yi)層單(dan)晶(jing)硅，一(yi)般用于通用處(chu)理器(qi)芯片(pian)，二極管，以(yi)及igbt功率器(qi)件的(de)制造。由于拋(pao)光(guang)原始顆(ke)粒細微、粒度尺寸(cun)小于可見光(guang)的(de)波長，所以(yi)均勻地分布(bu)后形成外觀透明或半透明的(de)拋(pao)光(guang)膜(mo)。
二、硅片拋光片用于哪里
拋光片是(shi)用量(liang)最大的(de)產(chan)品，其他的(de)硅片產(chan)品都是(shi)在拋光片的(de)基礎上二次加(jia)工產(chan)生的(de)。
拋光片是最基礎、應用范圍最廣的硅片。拋光片可直接用于制作半導體器件，廣泛應用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片等其他類型硅片的襯底材料。
隨著集成(cheng)電(dian)路(lu)特征線寬(kuan)的(de)不斷縮小(xiao)，光刻(ke)精度(du)日益精細(xi)，硅(gui)片(pian)上(shang)極其微(wei)小(xiao)的(de)不平(ping)整都會造(zao)成(cheng)集成(cheng)電(dian)路(lu)圖(tu)形的(de)形變和(he)錯位，硅(gui)片(pian)制造(zao)技術(shu)面(mian)臨越來越高的(de)要求(qiu)和(he)挑戰，硅(gui)片(pian)表面(mian)顆粒度(du)和(he)潔凈度(du)對半導體產品的(de)良率(lv)也(ye)有(you)直接影響。
因此，拋光工藝對(dui)提高硅(gui)片表(biao)(biao)面(mian)的平整(zheng)度和(he)清潔度至(zhi)關重要，主要原理為通過(guo)去除加工表(biao)(biao)面(mian)殘留的損傷層，實現半導(dao)體硅(gui)片表(biao)(biao)面(mian)平坦化，減小粗糙(cao)度。
