一、太陽能硅片N型和P型的區別在哪里
N型電池(chi)片(pian)采用(yong)n型硅片(pian)，P型電池(chi)片(pian)采用(yong)p型硅片(pian)。
N型和P型單晶(jing)硅片(pian)的區別主要為：
1、摻雜的元素不同：單(dan)晶硅(gui)中摻磷是N型，單(dan)晶硅(gui)中摻硼為P型。
2、導電不同：N型(xing)是電子(zi)導電，P型(xing)是空穴導電。
二、太陽能硅片制作流程是怎么樣的
太陽能硅(gui)片(pian)(pian)的生產工藝流程(cheng)分為硅(gui)片(pian)(pian)檢(jian)測(ce)--表面制絨(rong)及酸(suan)洗(xi)--擴散制結--去磷硅(gui)玻(bo)璃--等離(li)子刻蝕及酸(suan)洗(xi)--鍍減(jian)反射膜--絲網印(yin)刷--快速燒(shao)結等。具體介紹如下:
1、硅片檢(jian)測(ce)，硅(gui)片(pian)質(zhi)量(liang)的好壞直接決定(ding)了太陽能(neng)電(dian)(dian)池片(pian)轉(zhuan)換效率(lv)(lv)的高低，因此需要(yao)(yao)對來料(liao)硅(gui)片(pian)進(jin)行(xing)檢(jian)測(ce)。在進(jin)行(xing)少子壽命和(he)電(dian)(dian)阻率(lv)(lv)檢(jian)測(ce)之前，需要(yao)(yao)先對硅(gui)片(pian)的對角線、微(wei)裂紋進(jin)行(xing)檢(jian)測(ce)，并自動剔(ti)除破損硅(gui)片(pian)。硅(gui)片(pian)檢(jian)測(ce)設備能(neng)夠自動裝片(pian)和(he)卸片(pian)，并且能(neng)夠將(jiang)不合格(ge)品放到固(gu)定(ding)位置，從而提高檢(jian)測(ce)精度和(he)效率(lv)(lv)。
2、表(biao)面(mian)制絨(rong)，單晶硅(gui)(gui)(gui)絨(rong)面(mian)的制備是利用硅(gui)(gui)(gui)的各向異性腐(fu)(fu)蝕，在(zai)每平方(fang)厘(li)米(mi)硅(gui)(gui)(gui)表(biao)面(mian)形(xing)成(cheng)幾百(bai)萬個四(si)面(mian)方(fang)錐體(ti)也即金字塔結(jie)構。制備絨(rong)面(mian)前，硅(gui)(gui)(gui)片(pian)須先進行初步(bu)表(biao)面(mian)腐(fu)(fu)蝕，用堿性或酸性腐(fu)(fu)蝕液蝕去約20~25μm，在(zai)腐(fu)(fu)蝕絨(rong)面(mian)后，進行一般的化(hua)學清洗。經過(guo)表(biao)面(mian)準備的硅(gui)(gui)(gui)片(pian)都不(bu)宜在(zai)水(shui)中久存，以防沾污，應盡快擴(kuo)散制結(jie)。
3、擴(kuo)(kuo)散(san)制(zhi)結(jie)，太陽能電(dian)池(chi)需要一(yi)個大(da)面積(ji)的(de)PN結(jie)以實現光(guang)能到(dao)電(dian)能的(de)轉(zhuan)換，而擴(kuo)(kuo)散(san)爐即為(wei)制(zhi)造太陽能電(dian)池(chi)PN結(jie)的(de)專用設備(bei)。管式擴(kuo)(kuo)散(san)爐主要由石(shi)英舟(zhou)的(de)上下載部分、廢氣(qi)室(shi)、爐體部分和氣(qi)柜部分等四大(da)部分組成。擴(kuo)(kuo)散(san)一(yi)般(ban)用三氯氧磷液(ye)態源(yuan)作為(wei)擴(kuo)(kuo)散(san)源(yuan)。制(zhi)造PN結(jie)是(shi)(shi)太陽電(dian)池(chi)生(sheng)產(chan)最(zui)基(ji)本也是(shi)(shi)最(zui)關鍵的(de)工序(xu)。因為(wei)正(zheng)是(shi)(shi)PN結(jie)的(de)形成，才使電(dian)子和空穴在流動后不再回到(dao)原處，這樣就(jiu)形成了電(dian)流，用導線將電(dian)流引(yin)出(chu)，就(jiu)是(shi)(shi)直流電(dian)。
4、去(qu)磷硅(gui)玻璃(li)，該工(gong)藝(yi)用于太陽能電池(chi)片(pian)(pian)生(sheng)(sheng)產制(zhi)造(zao)過程中(zhong)，通過化(hua)學(xue)腐(fu)蝕法(fa)也即把硅(gui)片(pian)(pian)放(fang)在(zai)氫氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)溶液中(zhong)浸泡(pao)，使其產生(sheng)(sheng)化(hua)學(xue)反(fan)應生(sheng)(sheng)成可(ke)溶性的絡和物六氟(fu)(fu)(fu)(fu)硅(gui)酸(suan)，以去(qu)除擴(kuo)散(san)制(zhi)結后在(zai)硅(gui)片(pian)(pian)表面形成的一(yi)(yi)層磷硅(gui)玻璃(li)。氫氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)能夠溶解二氧化(hua)硅(gui)是因為氫氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)與(yu)二氧化(hua)硅(gui)反(fan)應生(sheng)(sheng)成易揮發的四氟(fu)(fu)(fu)(fu)化(hua)硅(gui)氣體(ti)。若氫氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)過量，反(fan)應生(sheng)(sheng)成的四氟(fu)(fu)(fu)(fu)化(hua)硅(gui)會進一(yi)(yi)步(bu)與(yu)氫氟(fu)(fu)(fu)(fu)酸(suan)反(fan)應生(sheng)(sheng)成可(ke)溶性的絡和物六氟(fu)(fu)(fu)(fu)硅(gui)酸(suan)。
5、等離(li)子(zi)刻(ke)蝕(shi)，由(you)于在擴(kuo)(kuo)散(san)(san)過程中(zhong)，即使(shi)采(cai)用背靠背擴(kuo)(kuo)散(san)(san)，硅片的(de)(de)(de)所(suo)有表面(mian)包括邊緣(yuan)都將不(bu)可避免地擴(kuo)(kuo)散(san)(san)上磷。PN結(jie)的(de)(de)(de)正面(mian)所(suo)收集到的(de)(de)(de)光(guang)生電(dian)子(zi)會(hui)沿著邊緣(yuan)擴(kuo)(kuo)散(san)(san)有磷的(de)(de)(de)區(qu)域流(liu)到PN結(jie)的(de)(de)(de)背面(mian)，而造成(cheng)短路。因此，必須對太陽能電(dian)池(chi)周邊的(de)(de)(de)摻雜硅進(jin)行刻(ke)蝕(shi)，以去除電(dian)池(chi)邊緣(yuan)的(de)(de)(de)PN結(jie)。
6、鍍(du)減(jian)反(fan)射(she)膜(mo)，拋光硅表面(mian)的(de)反(fan)射(she)率為(wei)(wei)35%，為(wei)(wei)了減(jian)少表面(mian)反(fan)射(she)，提(ti)高電池的(de)轉換效(xiao)率，需要沉積(ji)一層(ceng)氮(dan)化硅減(jian)反(fan)射(she)膜(mo)。工業生(sheng)產中常采用PECVD設備(bei)制備(bei)減(jian)反(fan)射(she)膜(mo)。PECVD即等離子增(zeng)強型化學氣(qi)相沉積(ji)。
7、絲(si)網(wang)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)(shua)，太陽電(dian)(dian)(dian)池(chi)經過制(zhi)絨、擴散及PECVD等工序(xu)后，已經制(zhi)成PN結(jie)，可以在光照下(xia)產生(sheng)電(dian)(dian)(dian)流，為了將產生(sheng)的電(dian)(dian)(dian)流導出，需要在電(dian)(dian)(dian)池(chi)表面(mian)(mian)上(shang)制(zhi)作正、負兩個電(dian)(dian)(dian)極(ji)。制(zhi)造電(dian)(dian)(dian)極(ji)的方(fang)法(fa)很多(duo)，而(er)絲(si)網(wang)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)(shua)是目(mu)前制(zhi)作太陽電(dian)(dian)(dian)池(chi)電(dian)(dian)(dian)極(ji)最普遍的一(yi)種生(sheng)產工藝。絲(si)網(wang)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)(shua)是采用壓印(yin)(yin)的方(fang)式(shi)將預定的圖形印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)(shua)在基板上(shang)，該設備由電(dian)(dian)(dian)池(chi)背面(mian)(mian)銀鋁漿印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)(shua)、電(dian)(dian)(dian)池(chi)背面(mian)(mian)鋁漿印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)(shua)和電(dian)(dian)(dian)池(chi)正面(mian)(mian)銀漿印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)(shua)三部分(fen)組成。
8、快速(su)燒(shao)結(jie)，經(jing)過絲網印(yin)刷后(hou)的(de)硅片(pian)，不能直接使(shi)用，需經(jing)燒(shao)結(jie)爐快速(su)燒(shao)結(jie)，將(jiang)有(you)(you)機樹脂(zhi)粘(zhan)(zhan)合劑(ji)(ji)燃(ran)燒(shao)掉，剩下幾乎純粹的(de)、由于玻璃質作(zuo)用而(er)密合在硅片(pian)上的(de)銀電(dian)(dian)極。燒(shao)結(jie)爐分為預燒(shao)結(jie)、燒(shao)結(jie)、降溫(wen)(wen)冷(leng)卻(que)(que)三(san)個階(jie)(jie)(jie)段。預燒(shao)結(jie)階(jie)(jie)(jie)段目(mu)的(de)是使(shi)漿料中(zhong)的(de)高分子粘(zhan)(zhan)合劑(ji)(ji)分解、燃(ran)燒(shao)掉，此(ci)階(jie)(jie)(jie)段溫(wen)(wen)度慢慢上升；燒(shao)結(jie)階(jie)(jie)(jie)段中(zhong)燒(shao)結(jie)體內(nei)完成各(ge)種物(wu)理(li)化(hua)學反應(ying)，形成電(dian)(dian)阻膜(mo)結(jie)構，使(shi)其真正具有(you)(you)電(dian)(dian)阻特性，該階(jie)(jie)(jie)段溫(wen)(wen)度達到峰(feng)值(zhi);降溫(wen)(wen)冷(leng)卻(que)(que)階(jie)(jie)(jie)段，玻璃冷(leng)卻(que)(que)硬化(hua)并(bing)凝固(gu)，使(shi)電(dian)(dian)阻膜(mo)結(jie)構固(gu)定地粘(zhan)(zhan)附于基片(pian)上。
9、外圍設(she)備(bei)在(zai)電(dian)(dian)池(chi)片(pian)生產過程中(zhong)，還(huan)需要(yao)(yao)供電(dian)(dian)、動力(li)、給水(shui)、排水(shui)、暖通(tong)、真空、特汽(qi)等外圍設(she)施。消防(fang)和環保設(she)備(bei)對(dui)于保證(zheng)安全和持(chi)續發展也(ye)顯得尤為重要(yao)(yao)。考慮(lv)到特殊(shu)氣體如硅(gui)烷的(de)安全因素，還(huan)需要(yao)(yao)單獨設(she)置(zhi)一個特氣間，以絕對(dui)保證(zheng)生產安全。另外，硅(gui)烷燃(ran)燒(shao)塔、污水(shui)處理站等也(ye)是電(dian)(dian)池(chi)片(pian)生產的(de)必(bi)備(bei)設(she)施。
