一、硅片清洗工藝步驟有哪些
吸附(fu)在硅片表面上的(de)雜質可分(fen)為(wei)分(fen)子(zi)型、離子(zi)型和原子(zi)型三種情況。其中(zhong)分(fen)子(zi)型雜質與硅片表面之間的(de)吸附(fu)力較弱，清(qing)除(chu)(chu)這類雜質粒子(zi)比較容易。它們多屬油脂類雜質，具有疏水(shui)性的(de)特點，對于清(qing)除(chu)(chu)離子(zi)型和原子(zi)型雜質具有掩蔽(bi)作用。
因此在對硅片進行(xing)化學清洗時(shi)，首先應該把它們清除干凈(jing)。離子型(xing)和原子型(xing)吸(xi)附的雜質(zhi)(zhi)屬(shu)于化學吸(xi)附雜質(zhi)(zhi)，其吸(xi)附力都較(jiao)強(qiang)。
在(zai)一般情況下，原(yuan)(yuan)子型(xing)吸(xi)附雜質(zhi)(zhi)的量較小，因(yin)此在(zai)化學(xue)清洗時(shi)，先清除(chu)掉(diao)離子型(xing)吸(xi)附雜質(zhi)(zhi)，然(ran)后再(zai)清除(chu)殘存的離子型(xing)雜質(zhi)(zhi)及原(yuan)(yuan)子型(xing)雜質(zhi)(zhi)。
最后用(yong)高純去(qu)離子水將硅(gui)片(pian)沖冼(xian)干(gan)(gan)凈，再加溫烘(hong)干(gan)(gan)或甩干(gan)(gan)就可得到潔凈表(biao)面的硅(gui)片(pian)。
綜上所述，清洗硅片的一般工藝程序為：去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。另外，為(wei)去除(chu)硅片表(biao)面的(de)氧化(hua)層，常要增加一個稀氫氟(fu)酸浸(jin)泡步驟。
二、硅片清洗后有水印怎么辦
1、沖洗(xi)(xi)不(bu)干(gan)(gan)凈，可以(yi)拿(na)一(yi)些干(gan)(gan)凈的硅(gui)片再重新清洗(xi)(xi)一(yi)次(ci)，不(bu)要過(guo)清洗(xi)(xi)劑槽，看是否有水印出現，若無，則是清洗(xi)(xi)劑的問題(ti)，調整即可。
2、烘(hong)干(gan)不夠，將硅(gui)片(pian)在(zai)進入(ru)烘(hong)干(gan)通道前取出甩干(gan)或(huo)吹干(gan)，看(kan)是(shi)否有水印，如無，則是(shi)加(jia)大(da)烘(hong)干(gan)通道的力度。
3、水中(zhong)雜質含量過高，造成(cheng)不易(yi)清洗，清除水中(zhong)的雜質即可。
