一、硅片清洗工藝步驟有哪些
吸附在硅(gui)片(pian)表面上的(de)雜質可分為分子(zi)(zi)(zi)(zi)型、離子(zi)(zi)(zi)(zi)型和原子(zi)(zi)(zi)(zi)型三(san)種情況(kuang)。其中分子(zi)(zi)(zi)(zi)型雜質與硅(gui)片(pian)表面之間的(de)吸附力較(jiao)弱，清(qing)除(chu)這類雜質粒(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)比較(jiao)容易。它們多屬(shu)油脂類雜質，具有疏水性的(de)特點，對于清(qing)除(chu)離子(zi)(zi)(zi)(zi)型和原子(zi)(zi)(zi)(zi)型雜質具有掩(yan)蔽作(zuo)用。
因此在對硅片進行化學(xue)清洗時，首先應(ying)該把它們(men)清除干(gan)凈。離子型和(he)原子型吸附的雜(za)質屬于化學(xue)吸附雜(za)質，其吸附力都較強。
在一般情況下，原子型(xing)吸(xi)附雜質的量較小，因此(ci)在化學清洗時，先清除(chu)掉離(li)子型(xing)吸(xi)附雜質，然后再清除(chu)殘(can)存(cun)的離(li)子型(xing)雜質及(ji)原子型(xing)雜質。
最(zui)后(hou)用(yong)高純去離子水將硅片沖冼干(gan)凈，再加溫烘干(gan)或甩干(gan)就(jiu)可得到潔凈表面的硅片。
綜上所述，清洗硅片的一般工藝程序為：去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。另外，為去(qu)除硅片(pian)表(biao)面的(de)氧化層，常要增加一個稀(xi)氫氟酸(suan)浸泡步(bu)驟(zou)。
二、硅片清洗后有水印怎么辦
1、沖(chong)洗(xi)不(bu)干凈(jing)，可(ke)以拿一些干凈(jing)的硅片再重新清(qing)(qing)洗(xi)一次，不(bu)要過清(qing)(qing)洗(xi)劑槽(cao)，看是否有水印(yin)出現，若無，則是清(qing)(qing)洗(xi)劑的問題(ti)，調整即可(ke)。
2、烘(hong)干不(bu)夠(gou)，將硅片在進入(ru)烘(hong)干通道(dao)前(qian)取(qu)出甩干或(huo)吹干，看是否(fou)有水印，如無，則是加(jia)大烘(hong)干通道(dao)的力(li)度。
3、水中(zhong)雜質(zhi)含量過(guo)高，造成不易清洗，清除水中(zhong)的雜質(zhi)即可。
